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    新聞資訊

    真空中制備膜層的作用

    2019-03-22

    真空中制備膜層,包括鍍制晶態的金屬、半導體、絕緣體等單質或化合物膜。雖然化學氣相沉積也采用減壓、低壓或等離子體等真空手段,但一般真空鍍膜是指用物理的方法沉積薄膜。五氧化三鈦蒸發鍍膜通過加熱蒸發某種物質使其沉積在固體表面,稱為蒸發鍍膜。蒸發物質如五氧化三鈦等化合物置于坩堝內或掛在熱絲上作為蒸發源,待鍍工件,如金屬、陶瓷、塑料等基片置于坩堝前方。待系統抽至高真空后,加熱坩堝使其中的物質蒸發。蒸發物質的原子或分子以冷凝方式沉積在基片表面。薄膜厚度可由數百埃至數微米。膜厚決定于蒸發源的蒸發速率和時間(或決定于裝料量),并與源和基片的距離有關。對于大面積鍍膜,常采用旋轉基片或多蒸發源的方式以保證膜層厚度的均勻性。從蒸發源到基片的距離應小于蒸氣分子在殘余氣體中的平均自由程,以免蒸氣分子與殘氣分子碰撞引起化學作用。蒸氣分子平均動能約為 0.1~0.2 電子伏。


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